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        1. CVD设备
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          CVD设备的特点

          2020-11-03 09:25:07

          CVD设备的特点

          1)在中温或高温下,通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上。

          2)可以在常压或者真空条件下(负压“进行沉积、通常真空沉积膜层质量较好)。

          3)采用等离子和激光辅助技术可以显著地促进化学反应,使沉积可在较低的温度下进行。

          4)涂层的化学成分可以随气相组成的改变而变化,从而获得梯度沉积物或者得到混合镀层。

          5)可以控制涂层的密度和涂层纯度。

          6)绕镀件好。可在复杂形状的基体上以及颗粒材料上镀膜。适合涂覆各种复杂形状的工件。由于它的绕镀性能好,所以可涂覆带有槽、沟、孔,甚至是盲孔的工件。

          7)沉积层通常具有柱状晶体结构,不耐弯曲,但可通过各种技术对化学反应进行气相扰动,以改善其结构。

          8)可以通过各种反应形成多种金属、合金、陶瓷和化合物涂层。

          CVD设备

          技术类型

          化学气相沉积装置Z主要的元件就是反应器。按照反应器结构上的差别,我们可以把化学气相沉积技术分成开管/封管气流法两种类型:

          1 封管法

          这种反应方式是将一定量的反应物质和集体放置于反应器的两边,将反应器中抽成真空, 再向其中注入部分输运气体,然后再次密封, 再控制反应器两端的温度使其有一定差别,它的优点是:①能有效够避免外部污染;②无须持续抽气就能使是内部保持真空。它的缺点是:①材料产生速度慢;②管中的压力不容易掌握。

          2 开管法

          这种制备方法的特点是反应气体混合物能够随时补充。废气也可以及时排出反应装置。以加热方法为区分,开管气流法应分为热壁和冷壁两种。前者的加热会让整个沉积室壁都会因此变热,所以管壁上同样会发生沉积。 后者只有机体自身会被加热,也就没有上述缺点。 冷壁式加热一般会使用感应加热、通电加热以及红外加热等等。

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