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        1. CVD设备
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          磁控溅射设备的出现和应用经历了许多阶段

          2021-03-08 14:55:17

          一般而言,磁控溅射设备增强系统某一部分的功能将带来整体功能的增强,同时减少系统对某些部分的依赖,或者可以理解为:两个必要因素 该系统有机地合并为一个部分。 建立一个的设计系统有助于研究系统各个部分的内部逻辑关系。

          溅射技术的出现和应用经历了许多阶段。 首先,这只是一个简单的两和三放电溅射沉积。 经过30多年的发展,磁控溅射技术已经发展成为一种不可替代的方法,用于制备功能膜,例如超硬,耐磨,低摩擦系数,耐腐蚀,装饰,光学和电气。

          磁控溅射系统是该领域的另一项重大进步。 直流反应溅射法沉积致密,无缺陷的绝缘膜(尤其是陶瓷膜)几乎是不可能的,因为沉积率低,目标材料容易产生电弧放电,并且其结构,成分和性能 被改变了。 这些缺点可以通过使用脉冲磁控溅射技术来克服。 脉冲频率为10?200kHz,可有效防止目标电弧放电并稳定反应溅射沉积工艺,从而实现高质量反应膜的高速沉积。

          磁控溅射设备


          磁控溅射系统的原理是在电场的作用下,稀薄气体的异常辉光放电产生的等离子体会轰击阴靶的表面,并从靶表面溅射出分子,原子,离子和电子 。 溅射的粒子携带一定量的动能,并在一定方向上朝向基板的外表面射出,从而在基板的表面上形成涂层。

          溅射涂层开始显示出简单的直流二管溅射。 它的优点是设备简单,但直流二管溅射沉积速率低; 为了坚持自我约束的排放,它不能在低压下进行; 它不能溅射绝缘材料。 这样的缺陷限制了它的使用。 在直流二管溅射设备中添加热阴和辅助阳可构成直流三管溅射。 由添加的热阴和辅助阳产生的热电子增强了溅射气体原子的电离作用,因此即使在低压下也可以进行溅射。 否则,可以降低溅射电压以进行低压溅射。 在低压条件下; 放电电流也会增加,并且可以不受电压影响地独立控制。 在热阴之前添加电(网格状)以形成四溅射装置可以稳定放电。 然而,这些装置难以获得具有高浓度和低堆叠速度的等离子体区域,因此其尚未在工业中广泛使用。

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