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        1. CVD设备
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          磁控溅射设备溅射进程分析

          2021-11-14 10:02:31

          磁控溅射设备要求靶材可以将从离子炮击进程中得到的正电荷传递给与其紧密接触的阴极,然后该办法只能溅射导体资料,不适于绝缘资料。因为炮击绝缘靶材时,外表的离子电荷无法中和,这将导致靶面电位升高,外加电压几乎都加在靶上,两极间的离子加速与电离的机会将变小,乃至不能电离,导致不能接连放电乃至放电中止,溅射中止。故对于绝缘靶材或导电性很差的非金属靶材,须用射频溅射法(RF)。

          溅射进程中涉及到杂乱的散射进程和多种能量传递进程:入射粒子与靶材原子发生弹性磕碰,入射粒子的一部分动能会传给靶材原子;某些靶材原子的动能超过由其周围存在的其它原子所形成的势垒(对于金属是5-10 eV),然后从晶格点阵中被磕碰出来,发生离位原子;这些离位原子进一步和邻近的原子依次反复磕碰,发生磕碰级联;当这种磕碰级联到达靶材外表时,如果接近靶材外表的原子的动能大于外表结合能(对于金属是1-6eV),这些原子就会从靶材外表脱离然后进入真空。

          磁控溅射设备


          溅射镀膜就是在真空中使用荷能粒子炮击靶外表,使被炮击出的粒子沉积在基片上的技术。一般,使用低压惰性气体辉光放电来发生入射离子。阴极靶由镀膜资料制成,基片作为阳极,真空室中通入0.1-10Pa的氩气或其它惰性气体,在阴极(靶)1-3KV直流负高压或13.56MHz的射频电压作用下发生辉光放电。电离出的氩离子炮击靶外表,使得靶原子溅起并沉积在基片上,形成薄膜。溅射办法许多,主要有二级溅射、三级或四级溅射、磁控溅射、对靶溅射、射频溅射、偏压溅射、非对称沟通射频溅射、离子束溅射以及反应溅射等。

          因为被溅射原子是与具有数十电子伏特能量的正离子交流动能后飞溅起来的,因而溅射出来的原子能量高,有利于提高沉积时原子的分散才能,提高沉积组织的细密程度,使制出的薄膜与基片具有强的附着力。

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